1967年，施敏与韩裔美国人姜大元（Dawon Kahng）休息吃甜点时，用了一层又一层的涂酱，触动施敏与他二人的灵感，想到在金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）中间加一层金属层，结果发明了非挥发性记忆体（Flash），5月两人在《贝尔系统科技期刊》（The Bell System Technical Journal）上发表第一篇关于非挥发性内存的论文“浮闸非挥发性半导体内存细胞元件” [10]，第一次阐述了闪存存储数据的原理技术，随后由贝尔实验室取得专利。1970年代，时任台湾经济部长孙运璿邀请施敏担任“经济部发展积体电路计画工作小组”成员之一，施敏所提出的最关键建言，就是力荐孙运璿要推动半导体业 [12]。20世纪80年代初，施敏首先以电子束制造出线宽为0.15μm MOSFET器件，首先发现崩溃电压与能隙的关系，建立了微电子元件最高电场的指标。