黄如提出并研制出面向低功耗高可靠电路应用的准SOI新结构器件和面向超低功耗电路应用的肖特基-隧穿混合控制新机理器件。发展了适于十纳米以下集成电路的围栅纳米线器件理论及技术，系统揭示了器件关键特性的新变化及其物理根源，提出了可大规模集成的新工艺方法，成功研制出低功耗围栅纳米线器件及模块电路。发现了纳米尺度器件中涨落性和可靠性耦合的新现象及其对电路性能的影响，提出了新的涨落性/可靠性分析表征方法及模型。